Micron details ambitious DRAM and NAND roadmap — 3D NAND, High-NA EUV, new materials, and custom silicon makes a comeback
美光公布 DRAM 与 NAND 路线图：3D NAND、High-NA EUV 与定制芯片回归
要点导读
- 美光公布 DRAM 与 NAND 路线图
- 涉及 3D NAND 和 High-NA EUV 技术
- 将采用新材料
- 定制内存芯片回归并有望成为主流
- AI 开发者面临现有方案局限
原文摘要 · 中英对照
As DRAM and 3D NAND are about to adopt all-new technologies, custom types of memory are about to become mainstream as AI developers face limitations with current solutions.
随着 DRAM 和 3D NAND 即将采用全新技术，定制类型的内存即将成为主流，因为 AI 开发者面临当前解决方案的限制。
阅读原文
原文来源：Tom's Hardware（tomshardware.com）。本页摘要与要点整理自公开来源，版权归原作者所有，完整内容请阅读原文。
