消息称台积电考虑进军先进内存芯片制造,有望为英伟达打造 3D DRAM
要点导读
- 台积电考虑进军先进内存芯片制造
- 应英伟达要求规划生产3D DRAM
- 3D DRAM通过垂直堆叠提升容量
- 评估新建工厂或收购改造两条路径
- 消息仍属市场传闻,量产时间未定
内容摘要
据The Information报道,台积电正考虑扩大业务范围,进入先进内存芯片制造领域,以在AI硬件供应链中获取更大份额。台积电已应英伟达要求开始规划生产3D DRAM,该架构通过垂直堆叠存储单元提升容量。台积电尚未确定量产时间和产能来源,正在评估新建专用工厂或收购现有晶圆厂两条路径。
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