英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆

内容摘要

英飞凌宣布率先在全规模半导体晶圆厂环境中将300mm碳化硅晶圆加工为功率半导体器件，基于奥地利Villach晶圆厂现有硅制造设备完成。公司将与客户规划12英寸SiC技术及量产时机，同时推进200mm SiC路线图，并在德累斯顿工厂验证冷分片技术。